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IPD30N10S3L34ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.310 (CNY10.5203) |
| 50+ | CNY7.880 (CNY8.9044) |
| 100+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
| 500+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
| 1000+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY46.55 (CNY52.60 含税)
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD30N10S3L34ATMA1
库存编号2432729
也称为IPD30N10S3L-34, SP000261248
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.031ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散57W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPD30N10S3L-34 是一款N沟道增强模式MOSFET, 具有低开关和传导功率损耗, 可实现高热能效率。
- AEC-Q101合规
- MSL1高达260°C峰值回流
- 绿色设备
- 100％经过雪崩测试
- 坚固的包装, 良好的品质与可靠性
- 优化的总栅极电荷, 仅需较小的驱动器输出级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00059