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IPD50N06S214ATMA2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.040 (CNY15.8652) |
| 10+ | CNY9.850 (CNY11.1305) |
| 100+ | CNY6.680 (CNY7.5484) |
| 500+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 1000+ | CNY4.410 (CNY4.9833) |
| 5000+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD50N06S214ATMA2
库存编号4149700
产品范围OptiMOS Series
也称为SP001063624
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0108ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散136W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.0108ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001