打印页面
IPD60R3K3C6ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD60R3K3C6ATMA1
库存编号2726052
产品范围CoolMOS C6
也称为IPD60R3K3C6, SP001117718
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻2.97ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散18.1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C6
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 600V, 1.7A CoolMOS™ C6 power transistor in 3 pin TO-252 package
- Extremely low losses due to very low FOM (RDS(on)* Qi and Eoss)
- Easy control of switching behaviour improves power density
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use, better light load efficiency
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
18.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
2.97ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00068