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IPD65R660CFDAATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD65R660CFDAATMA1
库存编号3227641RL
产品范围CoolMOS CFDA
也称为IPD65R660CFDA, SP000928260
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.594ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散62.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CFDA
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.594ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS CFDA
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD65R660CFDAATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00068