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IPD70R900P7SAUMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD70R900P7SAUMA1
库存编号2803397RL
产品范围CoolMOS P7
也称为IPD70R900P7S, SP001491638
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds700V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.74ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散30.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
30.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
700V
漏源接通状态电阻
0.74ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907