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IPD80R2K4P7ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 50+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 100+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 1000+ | CNY2.720 (CNY3.0736) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD80R2K4P7ATMA1
库存编号2771321
产品范围CoolMOS P7
也称为IPD80R2K4P7, SP001644284
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻2ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散22W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Infineon公司的800V CoolMOS™P7 N沟道功率MOSFET是一款高效MOSFET, 具有优秀的RDS(on)/封装. 这款MOSFET具有一流的效率和温度性能. 800V CoolMOS™P7产品系列专为反激式低功率SMPS应用而开发, 包括适配器和充电器, 照明, 音频SMPS, AUX和工业电源. 提供一流的性价比和出色的易用性, 使该产品成为目标应用的完美选择. 在基于反激式应用中, 与800V CoolMOS™C3相比, 该产品系列可提供0.1％至0.6％的效率增益, 2°C至8°C更低的MOSFET温度. 多种参数经过优化, 例如开关损耗 (Eoss)和栅极电荷 (Qg)降低50％, 输入电容 (Ciss)和输出电容 (Coss)降低, 提供绝佳的器件性能.
- 一流的FOM (品质因数) RDS(on) * Eoss (开关损耗)
- 一流的DPAK RDS(on) 280mohm
- 实现更高功率密度设计, 节省BOM, 降低装配成本
- 一流的V (GS)th 3V, 小V(GS)th变化±0.5V
- 易于设计
- Class 1C (HBM), class 2 (HBM), class C3 (CDM)集成齐纳二极管静电保护
- 减少静电产生的故障, 提高产量
- 一流的质量和可靠性
- 优化产品组合, 易于选择合适的零件, 以便对设计进行微调
- 该产品系列具有易用性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
22W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD80R2K4P7ATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426