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IPD90N04S402ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.510 (CNY13.0063) |
| 100+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 500+ | CNY6.270 (CNY7.0851) |
| 1000+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
| 5000+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD90N04S402ATMA1
库存编号2781087
产品范围OptiMOS T2
也称为IPD90N04S4-02, SP000673890
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻2000µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS T2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD90N04S402ATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426