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IPG20N04S412ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N04S412ATMA1
库存编号2725853RL
也称为IPG20N04S4-12, SP000705560
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续20A
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.0111ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0111ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0111ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TDSON
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd41W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道41W
耗散功率P沟道41W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel normal level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
41W
产品范围
OptiMOS T2 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.0111ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0111ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0111ohm
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
41W
耗散功率N沟道
41W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000171