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IPG20N06S2L65AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L65AATMA1
库存编号2781207RL
产品范围OptiMOS Series
也称为IPG20N06S2L-65A, SP001023844
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L65AATMA1
库存编号2781207RL
产品范围OptiMOS Series
也称为IPG20N06S2L-65A, SP001023844
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds55V
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
电流, Id 连续20A
在电阻RDS（上）0.053ohm
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.053ohm
漏源导通电阻P沟道0.053ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TDSON
阈值栅源电压最大值1.6V
功耗 Pd43W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
55V
漏源电压Vds P沟道
55V
在电阻RDS（上）
0.053ohm
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.053ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
55V
电流, Id 连续
20A
连续漏极电流 Id N沟道
20A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.053ohm
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
43W
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000177