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IPG20N06S2L65ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L65ATMA1
库存编号2725854
产品范围OptiMOS Series
也称为IPG20N06S2L-65, SP000613722
技术数据表
2,406 有货
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.900 (CNY10.057) |
| 10+ | CNY6.220 (CNY7.0286) |
| 100+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 500+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 1000+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
| 5000+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY8.90 (CNY10.06 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L65ATMA1
库存编号2725854
产品范围OptiMOS Series
也称为IPG20N06S2L-65, SP000613722
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.053ohm
漏源导通电阻P沟道0.053ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.053ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.053ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389