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IPG20N06S4L11ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.380 (CNY20.7694) |
| 10+ | CNY11.900 (CNY13.447) |
| 100+ | CNY8.170 (CNY9.2321) |
| 500+ | CNY6.300 (CNY7.119) |
| 1000+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 5000+ | CNY5.000 (CNY5.650) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L11ATMA1
库存编号2725855
也称为IPG20N06S4L-11, SP000705550
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0095ohm
漏源导通电阻P沟道0.0095ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道65W
耗散功率P沟道65W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS® - T2功率晶体管
- 双N沟道逻辑电平 - 增强模式
- 符合AEC Q101标准
- 175°C工作温度
- 100%经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.0095ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
65W
产品范围
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0095ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389