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IPL60R185CFD7AUMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 14 A, 0.153 ohm, VSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPL60R185CFD7AUMA1
库存编号2807987
产品范围CoolMOS CFD7
也称为IPL60R185CFD7, SP001617940
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续14A
漏源接通状态电阻0.153ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散85W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CFD7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in soft switching topologies optimized for phase-shift full bridge (ZVS), LLC applications server, telecom, EV Charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge(Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency without standing ease-of-use/performance trade off
- Enabling increased power density solutions
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
14A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
85W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.153ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0006