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IPL60R225CFD7AUMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY15.990 (CNY18.0687) |
| 100+ | CNY12.100 (CNY13.673) |
| 500+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
| 1000+ | CNY11.660 (CNY13.1758) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPL60R225CFD7AUMA1
库存编号3267786
产品范围CoolMOS CFD7
也称为IPL60R225CFD7, SP002621074
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.189ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散68W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CFD7
合规-
MSLMSL 2A - 4星期
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPL60R225CFD7AUMA1 是一款 600VC CoolMOS™CFD7 功率晶体管。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™CFD2 系列的后继产品，是专为相移全桥 (ZVS) 和 LLC 等软开关应用定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、一流的反向恢复电荷 (Qrr) 和改进的关断行为，CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑结构中提供了最高的效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势和卓越的硬换向稳健性，同时又不影响设计过程中的轻松实施。它适用于软开关拓扑结构，并针对移相全桥 (ZVS)、LLC 应用（服务器、电信、电动汽车充电）进行了优化。
- 完全符合 JEDEC 工业应用标准
- 超快体二极管，栅极电荷低
- 同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr)
- 改进的 MOSFET 反向二极管 dv/dt 和 diF/dt 强度
- 出色的硬换向坚固性，为谐振拓扑提供最高可靠性
- 效率最高，且不会牺牲易用性/性能
- 实现功率密度更高的解决方案
- PG-VSON-4 封装，工作结温 -40 至 150°C
- 在TC=25°C 时，漏极连续电流最大为 12A
- 在VGS=10V, ID=4.9A, Tj=25°C 时，漏源导通电阻典型值为 0.189ohm
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
68W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.189ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 2A - 4星期
IPL60R225CFD7AUMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00454