打印页面
IPP023NE7N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
607 有货
需要更多？
607 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.720 (CNY27.9336) |
| 10+ | CNY18.460 (CNY20.8598) |
| 100+ | CNY14.940 (CNY16.8822) |
| 500+ | CNY13.220 (CNY14.9386) |
| 1000+ | CNY12.570 (CNY14.2041) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY24.72 (CNY27.93 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The IPP023NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.0023ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003184