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IPP026N10NF2SAKMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.760 (CNY26.8488) |
| 10+ | CNY14.050 (CNY15.8765) |
| 100+ | CNY13.850 (CNY15.6505) |
| 500+ | CNY13.630 (CNY15.4019) |
| 1000+ | CNY13.420 (CNY15.1646) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPP026N10NF2SAKMA1
库存编号3680225
产品范围StrongIRFET 2
也称为IPP026N10NF2S, SP005548847
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续184A
漏源接通状态电阻2300µohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散250W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围StrongIRFET 2
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
184A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
2300µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
StrongIRFET 2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002