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IPP110N20N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, 通孔
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产品概述
IPP110N20N3 G是一款200V N沟道功率MOSFET，非常适合用于高频开关，在AC-DC SMPS的同步整流和电机控制等应用中实现了出色的性能。OptiMOS™ MOSFET针对硬式整流坚固性进行了优化，实现了低Qrr和较低的峰值反向恢复电荷。它是性能领先的基准技术，完全适用于48V系统的同步整流、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动的逆变器。
- 高效率
- 高功率密度
- 最低的板空间消耗
- 需要最少的设备并联
- 系统成本提升
- 环保型
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
88A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003184