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IPP111N15N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY30.640 (CNY34.6232) |
| 100+ | CNY25.940 (CNY29.3122) |
| 500+ | CNY21.980 (CNY24.8374) |
| 1000+ | CNY19.920 (CNY22.5096) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPP111N15N3GXKSA1
库存编号2480854
也称为IPP111N15N3 G, SP000677860
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续83A
漏源接通状态电阻9400µohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散214W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPP111N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
83A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
214W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
9400µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002008