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IPP320N20N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品概述
The IPP320N20N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
34A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.032ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003184