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IPT059N15N3ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPT059N15N3ATMA1
库存编号2480870
产品范围OptiMOS 3 Series
也称为IPT059N15N3, SP001100162
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续155A
漏源接通状态电阻5000µohm
晶体管封装类型HSOF
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散375W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 3 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPT059N15N3ATMA1 是 OptiMOS™3 N 沟道功率 MOSFET。潜在应用包括叉车、轻型电动车 (LEV)（如电动摩托车、电动自行车或 µ-car）、负载点 (POL)、电信、电子保险丝。
- 正常电平、出色的栅极电荷 xRDS(on) 产品 (FOM)
- 极低导通电阻 RDS（导通），工作温度 175°C，PG-HSOF-8 封装
- 目标应用符合JEDEC标准
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 符合IEC61249-2-21的无卤素标准
- 并联和冷却要求更低，系统可靠性最高
- 降低系统成本，实现非常紧凑的设计
- 在 VGS=10V 和 ID=150A 时，漏源导通电阻为 5.9 mohm
- 在TC=25°C 时，二极管连续正向电流为 155A
- 在VGS=0V 时，漏源击穿电压为 150V，ID=1mA
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
155A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
5000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007