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10+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
100+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
500+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
1000+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
5000+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPU80R2K0P7AKMA1
库存编号2771339
产品范围CoolMOS P7
也称为IPU80R2K0P7, SP001634912
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻1.7ohm
晶体管封装类型TO-251
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散24W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Infineon公司的800V CoolMOS™P7 N沟道功率MOSFET是一款高效MOSFET, 具有优秀的RDS(on)/封装. 这款MOSFET具有一流的效率和温度性能. 800V CoolMOS™P7产品系列专为反激式低功率SMPS应用而开发, 包括适配器和充电器, 照明, 音频SMPS, AUX和工业电源. 提供一流的性价比和出色的易用性, 使该产品成为目标应用的完美选择. 在基于反激式应用中, 与800V CoolMOS™C3相比, 该产品系列可提供0.1%至0.6%的效率增益, 2°C至8°C更低的MOSFET温度. 多种参数经过优化, 例如开关损耗 (Eoss)和栅极电荷 (Qg)降低50%, 输入电容 (Ciss)和输出电容 (Coss)降低, 提供绝佳的器件性能.
- 一流的FOM (品质因数) RDS(on) * Eoss (开关损耗)
- 一流的DPAK RDS(on) 280mohm
- 实现更高功率密度设计, 节省BOM, 降低装配成本
- 一流的V (GS)th 3V, 小V(GS)th变化±0.5V
- 易于设计
- Class 1C (HBM), class 2 (HBM), class C3 (CDM)集成齐纳二极管静电保护
- 减少静电产生的故障, 提高产量
- 一流的质量和可靠性
- 优化产品组合, 易于选择合适的零件, 以便对设计进行微调
- 该产品系列具有易用性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-251
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
24W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.7ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001134