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IPW60R190P6FKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, 通孔
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| 100+ | CNY13.900 (CNY15.707) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPW60R190P6FKSA1
库存编号2420505
也称为IPW60R190P6, SP001017090
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续20.2A
漏源接通状态电阻0.171ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散151W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPW60R190P6是一款600V CoolMOS™ P6 N沟道功率MOSFET, 低栅极电荷. CoolMOS™是一种革命性的高压功率MOSFET技术, 根据超级结 (super-junction)原理设计, 由Infineon Technologies公司率先推出. CoolMOS™ P6综合了超级结MOSFET供应商的经验以及高级创新技术. 该器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点, 同时不会牺牲易用性. 极低的开关和传导损耗适用于更高效, 更紧凑, 更轻便, 更低热能耗散的开关应用.
- 低损耗, 非常低的品质因数 (RDS (ON) x Qg与EOSS)
- 高换向耐用性
- 易于使用
- 增强dV/dt稳健性
- 无卤素, 绿色设备
- 目标应用符合JEDEC标准
- 高Vth
- 优化集成Rg
- 提高效率, 特别是在轻载情况下
- 早关断, 软开关应用的效率更高
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 平衡效率与易用性, 良好的开关性能以及可控性
- 高稳健性, 高效率
- 优秀的质量与可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
注释
MOSFET平联运作, 通常建议使用铁氧体磁珠门或单独的图腾柱.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20.2A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
151W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.171ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008232