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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPW65R070C6FKSA1
库存编号2480875
也称为IPW65R070C6, SP000745034
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续53.5A
漏源接通状态电阻0.063ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散391W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPW65R070C6 is a 650V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Easy control of switching behaviour
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Better light load efficiency
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Improved power density
- Improved reliability
- General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
注释
MOSFET平联运作, 通常建议使用铁氧体磁珠门或单独的图腾柱.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
53.5A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
391W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.063ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00443