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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPW65R095C7XKSA1
库存编号2420506
也称为IPW65R095C7, SP001080128
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续24A
漏源接通状态电阻0.084ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散128W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPW65R095C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
- Revolutionary best-in-class RDS (ON)
- Reduced energy stored in output capacitance (EOSS)
- Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
- Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
- Lowest conduction losses
- Low switching losses
- Better light load efficiency
- Increasing power density
- Outstanding CoolMOS™ quality
注释
MOSFET平联运作, 通常建议使用铁氧体磁珠门或单独的图腾柱.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
24A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
128W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.084ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
技术文档 (1)
IPW65R095C7XKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006