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IQE008N03LM5CGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE008N03LM5CGATMA1
库存编号3886381
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005401196, IQE008N03LM5CG
技术数据表
1,874 有货
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1874 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.470 (CNY22.0011) |
| 10+ | CNY13.080 (CNY14.7804) |
| 100+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 500+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 1000+ | CNY6.990 (CNY7.8987) |
| 5000+ | CNY6.740 (CNY7.6162) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY19.47 (CNY22.00 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE008N03LM5CGATMA1
库存编号3886381
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005401196, IQE008N03LM5CG
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续253A
漏源接通状态电阻650µohm
晶体管封装类型TTFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散89W
针脚数9引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
253A
晶体管封装类型
TTFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
89W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
650µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
9引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143