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IQE013N04LM6CGSCATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE013N04LM6CGSCATMA1
库存编号4125847RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为SP005559058, IQE013N04LM6CGSC
技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.930 (CNY25.9109) |
| 10+ | CNY15.240 (CNY17.2212) |
| 25+ | CNY14.660 (CNY16.5658) |
| 50+ | CNY12.540 (CNY14.1702) |
| 100+ | CNY10.540 (CNY11.9102) |
| 500+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
| 1000+ | CNY8.750 (CNY9.8875) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY22.93 (CNY25.91 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE013N04LM6CGSCATMA1
库存编号4125847RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为SP005559058, IQE013N04LM6CGSC
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续205A
漏源接通状态电阻1100µohm
晶体管封装类型TFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散107W
针脚数9引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 6 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
205A
晶体管封装类型
TFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
107W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
9引脚
产品范围
OptiMOS 6 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000256