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IR2103PBF
MOSFET驱动器, 2输出, 半桥, 10V-20V电源, 360 mA输出, DIP-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.030 (CNY21.5039) |
| 10+ | CNY12.570 (CNY14.2041) |
| 50+ | CNY12.200 (CNY13.786) |
| 100+ | CNY11.840 (CNY13.3792) |
| 250+ | CNY10.580 (CNY11.9554) |
| 500+ | CNY10.560 (CNY11.9328) |
| 1000+ | CNY10.540 (CNY11.9102) |
| 2500+ | CNY10.510 (CNY11.8763) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2103PBF
库存编号8639590
也称为SP001547202
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装DIP
芯片安装通孔安装
输入类型反相, 非反相
拉电流210mA
灌电流360mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟680ns
输出延迟150ns
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
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产品概述
IR2103PBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 欠压锁定
- 兼容3.3, 5和15V逻辑输入
- 防跨导逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 内部设置停滞时间
- 高压侧输出, 与HIN输入同相
- 低压侧输出, 与LIN输入同相
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
通孔安装
拉电流
210mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
680ns
产品范围
-
MSL
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
DIP
输入类型
反相, 非反相
灌电流
360mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
150ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002117