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10+ | CNY11.540 (CNY13.0402) |
50+ | CNY11.290 (CNY12.7577) |
100+ | CNY11.020 (CNY12.4526) |
250+ | CNY10.810 (CNY12.2153) |
500+ | CNY10.440 (CNY11.7972) |
1000+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
2500+ | CNY10.000 (CNY11.300) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2108SPBF
库存编号2580752
也称为SP001533162
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装NSOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流200mA
灌电流350mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟220ns
输出延迟200ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels.
- Floating channel designed for bootstrap operation fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
- Cross-conduction prevention logic
- Matched propagation delay for both channels
- High side output in phase with HIN input
- Logic and power ground +/- 5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
220ns
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
NSOIC
输入类型
非反向
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
200ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001769