打印页面
IR2117STRPBF
MOSFET驱动器, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA峰值输出, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
5,759 有货
需要更多？
5759 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.150 (CNY14.8595) |
| 10+ | CNY9.490 (CNY10.7237) |
| 50+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
| 100+ | CNY8.750 (CNY9.8875) |
| 250+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
| 500+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 2500+ | CNY7.590 (CNY8.5767) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY13.15 (CNY14.86 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2117STRPBF
库存编号3132241
也称为IR2117STRPBF, SP001538020
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流250mA
灌电流500mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟125ns
输出延迟105ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IR2117STRPBF 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在将交叉传导降至最低。浮动通道可用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或高低侧配置的 IGBT，工作电压高达 600V。
- 浮动通道设计用于自启动操作，可在 +600V 电压下完全工作
- 耐负瞬态电压 dV/dt 免疫，欠压锁定
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- CMOS施密特触发输入, 具有下拉功能
- 输出与输入同相
- 输出高短路脉冲电流为 200mA（最小，VO=0V，VIN=逻辑 "1"，PW ≤ 10µs）
- 输出低短路脉冲电流为 420mA（最小，VO=15V，VIN=逻辑 "0"，PW ≤ 10µs）
- 开启传播延迟为 125ns （典型值，VS=0V，VBIAS（VCC，VBS）=15V，CL=1000pF，TA=25°C）
- 关断传播延迟为 105ns（典型值，VS=600V、CL=1000pF 和 TA=25°C）
- 8引脚SOIC封装，环境温度范围为-40至125°C
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
125ns
产品范围
-
MSL
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
105ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001