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25+ | CNY17.250 (CNY19.4925) |
50+ | CNY16.870 (CNY19.0631) |
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250+ | CNY16.110 (CNY18.2043) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2184SPBF
库存编号8639051
也称为IR2184SPBF, SP001544038
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1.9A
灌电流2.3A
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟680ns
输出延迟270ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IR2184SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
- Under-voltage lockout for both channels
- Matched propagation delay for both channels
- Lower DI/DT gate driver for better noise immunity
- Logic and power ground ±5V offset
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.9A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
680ns
产品范围
-
MSL
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2.3A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
270ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.016284