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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF540NPBF
库存编号8648298
产品范围HEXFET Series
也称为SP001561906
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.044ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散130W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF540NPBF 是 100V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 3 引脚 TO-220AB 封装。它采用先进的处理技术,单位硅面积导通电阻极低。这一优势与快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,使 HEXFET 功率 MOSFET 成为众所周知的高效可靠器件,适用于各种应用。
- 漏极至源极电压: 100V
- 栅极-源极电压: ±20V
- 在Vgs=10V时, 导通电阻Rds (on)为44mohm
- 25°C, 功耗Pd: 130W
- Vgs 10V, 25°C, 连续漏电流Id: 33A
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
130W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.044ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
IRF540NPBF 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002712