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IRF6623TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY14.570 (CNY16.4641) |
| 100+ | CNY10.090 (CNY11.4017) |
| 500+ | CNY8.370 (CNY9.4581) |
| 1000+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 5000+ | CNY7.180 (CNY8.1134) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
55A
晶体管封装类型
DirectFET ST
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
5700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
7引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001