打印页面
IRF6645TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF6645TRPBF
库存编号2725892RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001562050
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续25A
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型DirectFET SJ
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.9V
功率耗散42W
针脚数7引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
25A
晶体管封装类型
DirectFET SJ
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.9V
针脚数
7引脚
产品范围
HEXFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121