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IRF6668TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, 表面安装
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| 500+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
| 1000+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
| 5000+ | CNY6.120 (CNY6.9156) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
55A
晶体管封装类型
DirectFET MZ
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
89W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.015ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.9V
针脚数
7引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426