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IRF7105TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7105TRPBF
库存编号2467998RL
也称为SP001577206
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）0.083ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.083ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.083ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF7105TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
3.5A
在电阻RDS（上）
0.083ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.083ohm
漏源导通电阻P沟道
0.083ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005