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IRF7306TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
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| 1000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 2000+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7306TRPBF
库存编号2468004RL
也称为SP001554154
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.6A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.1ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.6A
连续漏极电流 Id P沟道3.6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF7306TRPBF 是一款双P沟道MOSFET, 采用最新的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET 功率MOSFET是一款高效率器件, 可用于多种应用。SO-8经过优化, 采用定制引线框架, 以增强温度特性和双管芯功能, 非常适合电源应用。通过这些改进, 可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关性能
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.6A
在电阻RDS（上）
0.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.6A
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005