打印页面
IRF7329TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,729 有货
需要更多？
3729 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.360 (CNY12.8368) |
| 10+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 100+ | CNY4.900 (CNY5.537) |
| 500+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
| 1000+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 5000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.36 (CNY12.84 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7329TRPBF
库存编号2725899
产品范围HEXFET Series
也称为SP001566104
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道9.2A
连续漏极电流 Id P沟道9.2A
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
9.2A
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
9.2A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074