打印页面
IRF7341GTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341GTRPBF
库存编号2839483
产品范围HEXFET Series
也称为IRF7341GTRPBF, SP001563394
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
HEXFET Series
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001