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IRF7341TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341TRPBF
库存编号2468015RL
也称为SP001554204
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
电流, Id 连续4.7A
在电阻RDS（上）0.043ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
IRF7341TRPBF 的替代之选
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产品概述
IRF7341TRPBF 是一款双N沟道MOSFET, 采用最新的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET 功率MOSFET是一款高效率器件, 可用于多种应用。SO-8经过优化, 采用定制引线框架, 以增强温度特性和双管芯功能, 非常适合电源应用。通过这些改进, 可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关性能
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
55V
漏源电压Vds P沟道
55V
在电阻RDS（上）
0.043ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
Compute Module 3+ Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
55V
电流, Id 连续
4.7A
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000251