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IRF7501TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7501TRPBF
库存编号2577153RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001575316
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续2.4A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
晶体管封装类型µSOIC
阈值栅源电压最大值700mV
针脚数8引脚
功耗 Pd1.25W
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
2.4A
在电阻RDS（上）
0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
功耗 Pd
1.25W
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
µSOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001