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IRF7503TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7503TRPBF
库存编号2577148RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001555496
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.4A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.135ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
漏源通态电阻N沟道0.135ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.135ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型µSOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.25W
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF7503TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The low profile (<lt/>1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Low profile
- Fast switching performance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
2.4A
在电阻RDS（上）
0.135ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.25W
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
0.135ohm
漏源导通电阻P沟道
0.135ohm
晶体管封装类型
µSOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001