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IRF7507TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7507TRPBF
库存编号2468024RL
也称为SP001555486
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续2.4A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
晶体管封装类型MSOP
阈值栅源电压最大值700mV
针脚数8引脚
功耗 Pd1.25W
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The IRF7507TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The low profile (<lt/>1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Low profile
- Fast switching performance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
2.4A
在电阻RDS（上）
0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
功耗 Pd
1.25W
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
MSOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000284