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IRF7530TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7530TRPBF
库存编号2577151RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001572074
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续5.4A
连续漏极电流 Id N沟道5.4A
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.4A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型µSOIC
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.3W
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
IRF7530TRPBF 的替代之选
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产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.4A
连续漏极电流 Id P沟道
5.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
1.3W
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
5.4A
在电阻RDS（上）
0.03ohm
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
晶体管封装类型
µSOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001