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IRF9362TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9362TRPBF
库存编号2577160RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001555840
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.017ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF9362TRPBF is a HEXFET® dual P-channel Power MOSFET for use with charge and discharge switch for notebook PC battery applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Industry standard package for multi-vendor compatibility
- Halogen-free
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.017ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001