打印页面
IRF9389TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9389TRPBF
库存编号2579952RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001551666
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续6.8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.022ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.8A
连续漏极电流 Id P沟道6.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.022ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.022ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high and low sides switches for inverter, high and low side switches for generic half bridge.
- High-side P-channel MOSFET
- Industry-standard pinout
- Compatible with existing surface mount technique
- Increased power density
- Easier drive circuitry
- Multi-vendor compatibility
- Easier manufacturing
- Environmentally friendlier
- Increased reliability
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
6.8A
在电阻RDS（上）
0.022ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.8A
漏源通态电阻N沟道
0.022ohm
漏源导通电阻P沟道
0.022ohm
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
IRF9389TRPBF 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001