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IRF9956TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9956TRPBF
库存编号2803419RL
产品范围HEXFET Series
也称为IRF9956TRPBF, SP001565688
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
在电阻RDS（上）0.06ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
漏源通态电阻N沟道0.06ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.06ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
IRF9956TRPBF 的替代之选
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产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.5A
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.06ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.06ohm
漏源通态电阻N沟道
0.06ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001