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IRFH5250DTRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFH5250DTRPBF
库存编号2781124RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001577928
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.001ohm
晶体管封装类型QFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散156W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
IRFH5250DTRPBF 的替代之选
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产品概述
IRFH5250DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET. Applications include synchronous MOSFET for high frequency buck converters.
- Low RDSon (<lt/>1.4mohm), lower conduction losses
- Schottky intrinsic diode with low forward voltage, lower switching losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>0.8°C/W), enable better thermal dissipation
- 100%Rg tested, increased reliability
- Low profile (<lt/>0.9mm), increased power density
- Industry-standard pinout, multi-vendor compatibility
- Compatible with existing surface mount techniques, easier manufacturing
- Environmentally friendlier, increased reliability
- 25V minimum drain-to-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1.0mA, TJ = 25°C)
- BF PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
QFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.001ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000025