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IRFH8303TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
| 100+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 500+ | CNY7.340 (CNY8.2942) |
| 1000+ | CNY6.900 (CNY7.797) |
| 5000+ | CNY6.450 (CNY7.2885) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFH8303TRPBF
库存编号2577159
也称为SP001554820
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续43A
漏源接通状态电阻1100µohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散3.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围StrongIRFET, HEXFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IRFH8303TRPBF 的替代之选
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产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
43A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
产品范围
StrongIRFET, HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001