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IRFI4110GPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, 通孔
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| 10+ | CNY20.110 (CNY22.7243) |
| 100+ | CNY16.270 (CNY18.3851) |
| 500+ | CNY15.350 (CNY17.3455) |
| 1000+ | CNY14.550 (CNY16.4415) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFI4110GPBF
库存编号1888169
产品范围HEXFET Series
也称为SP001556598
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续72A
漏源接通状态电阻4500µohm
晶体管封装类型TO-220FP
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散61W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
IRFI4110GPBF 的替代之选
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产品概述
The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
72A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
61W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4500µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195