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产品概述
IRFR3710ZTRPBF 是一宽HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 采用最新的处理技术, 可实现极低的导通电阻。该设计具有175°C结温, 快速开关速度, 优秀的重复性雪崩额定值。这些功能使该设计成为高可靠性设备, 适用于多种应用。
- 先进的工艺技术
- 重复性雪崩可达Tjmax
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
42A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.018ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001512