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IRFTS8342TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, 表面安装
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| 500+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFTS8342TRPBF
库存编号2114659
也称为SP001552394
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8.2A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散2W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRFTS8342TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Industry standard pin-out
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.2A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IRFTS8342TRPBF 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033